سامسونگ یک تراشه حافظه با پهنای باند بالا (HBM) گسترش داده است که بیشترین ظرفیت را در این صنعت دارد. غول کره جنوبی ادعا می‌کند که تراشه HBM3E 12H هم کارکرد و هم ظرفیت را بیشتر از ۵۰ درصد افزایش می‌دهد. این تراشه در گسترش هوش مصنوعی کاربردهای تعداد بسیاری دارد.
بر پایه اظهار رسمی بلاگ سامسونگ، تراشه حافظه HBM3E تازه تا ظرفیت ۳۶ گیگابایت در هر پشته را اراعه می‌دهد. این تراشه تازه اولین حافظه ۱۲ پشته‌ای HBM3E در دنیا است که بیشترین ظرفیت تا به امروز را دارد. HBM3E 12H سامسونگ پهنای باند بالا تا ۱۲۸۰ گیگابایت‌برثانیه را فراهم می‌کند و در قیاس با تراشه ۸ پشته‌ای HBM3 8H، بیشتر از ۵۰ درصد بهبود یافته است.
تراشه حافظه HBM3E 12H سامسونگ
سامسونگ در تراشه تازه به افت ضخامت مواد NCF خود ادامه داده و به کمترین فاصله بین تراشه‌ها (هفت میکرومتر) دست یافته است. این کار تبدیل افزایش تراکم عمودی نزدیک به ۲۰ درصدی در قیاس با HBM3 8H می‌بشود. به‌عبارتی، این تراشه تازه تقریباً به اندازه همان ارتفاع پشته ۸H است و امکان منفعت گیری از بسته‌بندی HBM شبیه را فراهم می‌کند.
مدل‌های هوش مصنوعی مولد همانند ChatGPT به تعداد بسیاری تراشه حافظه نیاز دارند. این چنین تراشه‌هایی به مدل‌های هوش مصنوعی مولد این امکان را خواهند داد که جزئیات مکالمات قبل کاربر را به‌خاطر بیاورند تا جواب‌های طبیعی‌تری بدهند.
آخرین مطالب
با رشد تصاعدی برنامه‌های هوش مصنوعی، انتظار می‌رود HBM3E 12H یک راه‌حل بهینه برای سیستم‌های آینده باشد که به حافظه بیشتری نیاز دارند. برای مثال پردازنده گرافیکی انویدیا H200 دارای ۱۴۱ گیگابایت HBM3E است که در کل با شدت ۴.۸ ترابایت‌برثانیه کار می‌کند. H200 از شش ماژول ۲۴ گیگابایتی تراشه HBM3E 8H منفعت گیری می‌کند. همین ظرفیت را می‌توان تنها با چهار ماژول تراشه تازه ۱۲H به‌دست آورد.
بر پایه برآوردهای سامسونگ، ظرفیت زیاد تر تراشه ۱۲H، شدت آموزش هوش مصنوعی را تا ۳۴ درصد افزایش می‌دهد.
