تولید انبوه تراشههای ۲ نانومتری TSMC به سال ۲۰۲۶ موکول شد؛ چالشهای فناوری GAA و رقابت با سامسونگ و اینتل, شرکت تایوانی TSMC به عنوان پیشرو در صنعت فابریکاسیون تراشههای پیشرفته، پس از موفقیت در تولید تراشه اپل با فرآیند ۳ نانومتری، اکنون برای گام بعدی به سمت لیتوگرافی ۲ نانومتری آمادهسازی میکند.
با این حال، گزارشهای جدید از تایوان حاکی از آن است که زمانبندی ورود به فاز تولید انبوه این تراشهها یک سال به تأخیر افتاده و به جای سال ۲۰۲۵، از سال ۲۰۲۶ آغاز خواهد شد. مهلت جدید برای تولید تراشههای ۲ نانومتری TSMC به گزارش رسانه تکنولوژی تایوانی، فرآیند احداث خطوط تولید اختصاصی نود ۲ نانومتری با کندی پیش میرود.
که برنامههای داخلی شرکت بدون تغییر پیش میروند.
مهاجرت از به معماری ترانزیستور GAA نکته فنی حیاتی در نود ۲ نانومتری، تغییر معماری ترانزیستور از به فناوری (GAA) با استفاده از نانوبرگهای أفقی است. در این معماری، گیت ترانزیستور کانال را از چهار طرف احاطه میکند که منجر به کنترل بهتر جریان جریان، کاهش چشمگیر نشت جریان و بهینهسازی مصرف انرژی میشود.
اولین بار در نود ۲ نانومتری خود به کار میگیرد تا از مزایای کامل آن در مقیاسهای کوچکتر بهرهمند شود.
رقابت سهگانه با سامسونگ و اینتل در افق ۲۰۲۵ و ۲۰۲۶ فضای رقابتی در صنعت فابریکاسیون روزبهروز سختتر میشود. سامسونگ با هدف تولید انبوه تراشههای ۲ نانومتری در سال ۲۰۲۵، تلاش میکند پیش از TSMC به این نود برسد. در سوی دیگر، اینتل با استراتژی IDM ۲.۰ و سرمایهگذاریهای کلان، برنامهریزی کرده تا با نود ۱۸A (معادل ۱.۸ نانومتری) در سال ۲۰۲۵ تولید انبوه را آغاز کند و فاصله فنی خود با رقبا را به سرعت از بین ببرد.
این رقابت شدید، TSMC را تحت فشار قرار داده تا علاوه بر حل چالشهای فنی معماری GAA، زنجیره تأمین و ظرفیت تولید خود را برای پاسخگویی به تقاضاهای بلندمدت مشتریان استراتژیک نظیر اپل، انویدیا و AMD تقویت نماید.
